SK海力士Q4导入量产72层3D-NAND，在美申请存储器专利数位居第一

据集邦咨询半导体研究中心( DRAMeXchange )最新报告显示，SK海力士第四季度将 72 层 3D-NAND 导入量产，成为 2018 年的成长主力。同时，其在美国申请的存储器专利件数为 2,594 件，领跑这一领域专利榜单。

集邦咨询半导体研究中心( DRAMeXchange )报道显示，第三季受惠于传统旺季效应、iPhone 8/X 新机以及中国品牌手机需求等主要动能带领，第三季SK海力士营收达到 15 亿美元，相较前一季成长高达 15.4%。观察未来产能规划，SK海力士继续专注在 48/72 层 3D-NAND 产能的扩张当中，并在第四季将 72 层 3D-NAND 导入量产，成为 2018 年的成长主力。

此外，三星在第三季得益于服务器端及智能手机厂商发表新旗舰机，营收更较前季成长 19.5%，来到 56.2 亿美元。从制程及产能分析，三星 64 层 NAND Flash 自第三季开始量产以来，已经开始应用在移动终端需求及 SSD 上，并将逐渐扩大应用产品，预期整体 3D-NAND 的投片比重在年底将突破 50%。

值得观察的是，三星内部正在检讨 NAND Flash 持续扩张与DRAM产能分配的必要性，并考虑将部分平泽厂二楼的空间挪作生产 DRAM 用，这将可能使得 NAND Flash 未来更容易回归到供不应求的市场状况，有利于三星未来的市场策略。

然而，在美国申请专利数方面，韩国厂商也是遥遥领先。据韩国专利厅( KIPO )统计结果显示，2011——2015年，在美国申请的存储器设计、制造、封装技术专利总计有 5.8838 万件，其中SK海力士以 2,594 件，三星电子以 2,566 件分居前两名，两者合计比例达8.8%。其次依次是东芝（ 2,289 件）、美光（ 2,120 件）、IBM（ 1,977 件）、西部数据（ 1,289 件）、英特尔（ 1,008 件）。

韩国专利厅表示，韩国厂商抢先申请堆叠结构的 3D DRAM 与 3D NAND Flash 专利，因此带动全球存储器市场变化。

据悉，2011 年，上述 7 家厂商在美国申请的存储器专利件数为 417 件，之后每年稳定成长，2015 年达到 4,151 件。主要原因在于随着固态硬盘(SSD)逐步取代一般硬盘(HDD)，业界厂商开始集中在 NAND Flash 领域申请大量专利。