NPE起诉SK海力士专利侵权 戴尔等公司被指间接侵权

中国知识产权律师网从ipfray获悉，近日，韩国SK海力士卷入了最新的半导体专利侵权纠纷风波。非执业实体（NPE）先进存储技术有限责任公司（AMT）已向美国得克萨斯州东区地方法院起诉这家内存芯片供应商，指控其侵犯了四项半导体存储模块相关专利。

AMT是一家位于得克萨斯州的NPE，此前未公开发起过专利侵权诉讼。

被告SK海力士位于利川，生产和销售NAND闪存和DRAM模块等半导体器件。它部分由SK集团和现代集团持有，是全球最大的半导体销售商之一，拥有超过 1200 项专利。

美国是SK海力士利润丰厚的市场之一。起诉书显示，其位于得克萨斯州的子公司在2024年前六个月收入达 120 亿美元，占同期总销售额一半以上。

AMT 要求进行陪审团审判，并在起诉书中点名戴尔、微软和英伟达三家大型科技公司，称它们“在美国直接或间接制造、进口、运输、分销、提供销售、销售以及宣传采用SK海力士侵权存储模块的产品”。

此次涉案专利包括美国专利第 7777557号（“升压电路”）、第 7920018 号（“升压电路”）、第 7969231 号（“内部电压生成电路”）和第 8593888 号（“半导体存储器件”）。

AMT声称，SK海力士通过侵权行为（包括其子公司和客户渠道）获取了巨额收入，2024 年第三季度美国市场占其销售额的 64%，仅 2024 年前六个月美国业务收入就超总销售额一半。

此外，AMT 还指出，SK海力士为其侵权半导体产品的美国用户和客户提供支持，并在 HPE Discover 2024 和戴尔技术论坛 2024 等重大活动中积极推广。像英伟达在其 AI 处理器和 Grace CPU Superchip 中使用 SK 海力士的高带宽 DRAM 芯片，微软在 Xbox Series X/S 游戏机等产品中使用 SK 海力士的存储模块。