英诺赛科在德遭遇禁令

继在美国对英诺赛科提起氮化镓(GaN)技术专利侵权诉讼后，英飞凌于近日也向德国慕尼黑地方法院提起了相应的诉讼。慕尼黑地方法院随后于6月12日颁布了初步禁令，要求英诺赛科不得在纽伦堡举办的PCIM Europe 2024（全球电子行业知名展会）上展示其被诉产品。

据了解，英飞凌在此次投诉中声称英诺赛科侵犯了其三项专利，涵盖了GaN功率半导体的核心方面，包括实现英飞凌专有GaN器件的可靠性和性能的创新，并针对英诺赛科的经销商提起了额外诉讼。

除了在德国外，英飞凌于2024年3月在美国加利福尼亚州中区法院就半导体相关专利起诉英诺赛科专利侵权，英飞凌在该诉讼中寻求一项与氮化镓（GaN）技术相关的美国专利侵权的禁令救济，并称该专利涵盖了 GaN 功率半导体的核心方面，涉及英飞凌专有 GaN 器件的可靠性和性能。目前该案件仍在审理中，根据起诉书，涉诉专利名为“电子元件和开关电路”，专利号为 989948，由美国专利商标局于2018年2月20日颁发。英飞凌在起诉书中称，英诺赛科在美国进口、使用、销售的氮化镓（GaN）产品直接侵犯了其481专利的一项或多项权利要求。目前该案件仍在审理中。

知产财经从二公司官网获悉，英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑成立，其前身是西门子集团的半导体部门。英诺赛科于2017年在苏州成立，是一家从事第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。

2023年，英诺赛科实现收入5.93亿元，香港证券交易所2024年6月12日公告，英诺赛科已递交上市申请，拟香港主板挂牌上市。据国际权威咨询机构弗若斯特沙利文（Frost & Sullivan）数据，英诺赛科预计占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%，目前已实现了氮化镓晶圆、器件到模组的全覆盖。

氮化镓作为一种重要的半导体材料，被广泛用于光电子器件和高功率电子器件的制造中，如LED（发光二极管）、激光二极管、蓝光激光器、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。英诺赛科在其港股上市前面临的专利纠纷一方面体现了氮化镓技术在全球范围内的激烈竞争，一方面也反映了氮化镓技术在能源效率、成本优化以及可持续发展等方面的潜力和价值。

激烈的市场竞争背后，必然会带来一系列的法律纠纷。对于出海企业而言，“美国国际贸易委员会（ITC）337调查”通常是一项打击竞争对手的手段。一旦ITC颁布普遍排除令和禁止令，相关企业及整个行业面临的结果就是不仅会输掉官司，还会输掉市场。

除了与英飞凌公司之间的纠纷外，宜普电源转换公司（EPC公司）也于去年6月向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（ITC）指控英诺赛科及其附属公司侵犯其专利权，EPC公司寻求损害赔偿并禁止英诺赛科将其侵权的GaN（氮化镓）产品套件进口到美国。EPC公司声称英诺赛科侵犯了其基础专利组合中的四项专利（美国专利号为8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335），专利涵盖了该公司专有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造过程的核心环节。2023年6月28日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定半导体设备及其下游产品启动337调查（调查编码：337-TA-1366）。

针对EPC公司提起的诉讼，英诺赛科向美国专利商标局主张EPC公司四件专利无效，美国专利商标局于2024年3月20日对其中两件专利作出立案决定，于3月26日对另外两件专利作出新的立案决定。在美国国际贸易委员会调查期间，EPC撤回了新决定中涉及的专利，终止使用这两件专利指控英诺赛科，但英诺赛科仍继续对这两件专利的有效性提出质疑，并请求美国专利商标局对这两件专利是否有效进行审查。美国专利商标局在2024年3月20日和26日作出的四个决定中，三名法官均初步同意了英诺赛科的观点，即初步同意EPC的四件专利无效。