高通与三星达成新专利授权协议 正式开启5G模式

近日，高通公司与三星电子在周三结成了新联盟。作为新达成的专利交叉授权协议的一部分，三星将撤销在高通对韩国公平贸易委员会处罚决定上诉过程中的干预。双方还将携手围绕着高通处理器达成一项为期多年的战略合作关系，包括向5G的过渡。

2月22日三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）制程。

高通与三星达成新专利授权协议 或化解韩反垄断纠纷

凤凰网科技讯 据《金融时报》北京时间2月1日报道，高通公司与三星电子在周三结成了新联盟，这可能有助于高通化解在韩国的反垄断案，抵挡来自博通公司的恶意收购。

作为新达成的专利交叉授权协议的一部分，三星将撤销在高通对韩国公平贸易委员会处罚决定上诉过程中的干预。此前，韩国公平贸易委员会认定高通收取了过高的专利费，对其罚款1.03万亿韩元（约合8.68亿美元）。

高通并未披露修改后协议的条款，但表示与其在全球手机层面上的定价“一致”。

双方还表示，他们将携手围绕着高通处理器达成一项“为期多年的战略合作关系”，包括向5G的过渡。目前，设备制造商和网络运营商都在准备迎接新一代5G网络的到来，该超快无线网络将在未来几年推出。上周，高通还与小米公司、OPPO以及vivo等中国智能机制造商达成了类似的5G合作。

市场研究公司Moor Insights分析师帕特里克·摩尔海德（Patrick Moorhead）表示，高通与三星达成的协议是“意外之举”。“与三星的合作至关重要，它降低了高通面临的不确定性。一年来，这种不确定性令高通股价承压。同时，它也反驳了博通对于高通商业模式已破裂的指控，”他表示。

高通需要展现出强劲的业务增长势头来协助其抵挡博通的恶意收购，后者提出以每股70美元收购高通。作为这一努力的一部分，高通在本月初宣布了每年削减10亿美元成本的计划。

高通今天发布了第一财季财报。由于计入了针对海外利润的53亿美元一次性税收支出，并被欧盟委员会罚款12亿美元，高通第一财季净亏损60亿美元，同比转亏。

高通与三星签十年合约，骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造

集微网消息，2月22日三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）制程。

新闻稿指出，通过7纳米LPP EUV工艺，骁龙（Snapdragon）5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力。

该合作计划将长达十年，三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用，其中包括使用三星7纳米LPP EUV工艺技术制造未来的骁龙5G移动芯片组。

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术7LPP EUV，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米FinFET制程，三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高，而且面积效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

另外，三星位于华城市(Hwaseong)的7纳米厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市时程。

韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。

相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。

台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。