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第三代半导体全球专利分析
第三代半导体为近年新兴的技术，主要聚焦于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。 基于行业发展需求，本文对第三代半导体产业专利状况从全球整体态势、碳化硅和氮化镓关键技术、英飞凌和科锐等典型企业专利布局及运用策略、美国政府资助项目知识产权产出机制等方面进行研究。 全球整体态势 20世纪初出现第三代半导体相关专利申请，大约在2000年以后，相关专利申请开始进入
发布时间：2019.08.29 -
韩国半导体材料、组件和设备供应商反对专利诉讼“发现制度”
集微网消息，据businesskorea报道，韩国半导体材料、组件和设备供应商反对韩国政府为保护专利权而计划引入的“发现制度”。他们称，在申请专利数量上占绝对优势的外国半导体企业，将通过滥用该制度提起大量专利侵权诉讼。 上个月，韩国知识产权局(KIPO)对《专利法》提出了一项修正案，以便引入“发现制度”，即由法院指定或原告挑选的专家可以在专利诉讼前在被告的制造工厂收集证据。根据KIPO的说
发布时间：2020.09.29 -
中国科学院微电子研究所诉英特尔公司等系列专利侵权纠纷案
律师共同酝酿、制定了工作计划，总的来说，就是通过诉讼迫使对方与微电子所进行谈判，最终达成和解。这标志着微电子所对英特尔公司等企业的专利维权诉讼正式启动。 微电子所维权所涉及的相关专利 微电子所此次维权行动共涉及两项发明专利，均与半导体有关。 （一）第一项发明专利 微电子所维权所依据的第一项专利是名称为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”、专利号为201110240931.5的发明专利
发布时间：2023.11.22
