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三星被指盗取FinFET芯片专利技术，将被起诉
据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管(FinFET)制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院(KAIST)计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。 KAIST表示，三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司
发布时间：2016.12.05 -
高通再次起诉苹果 提出了三项新的专利侵权诉讼
就在11月29日，苹果刚刚起诉高通，为高通的骁龙手机芯片侵犯苹果专利。 在智能手机快速发展时期，高通与苹果一直是良好的合作伙伴，但是苹果自身对于芯片业务的开拓以及高通在专利方面的优势让两者产生了不可调和的矛盾。 苹果在供应链上一直处于强势地位，而且在芯片领域一直希望摆脱供应商的限制，自己掌控芯片的基带。目前包括世界第二第三手机占有率的三星、华为的芯片也一直这么做。苹果想保持在手机方面的优势，在
发布时间：2017.12.05
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