极紫外光刻技术专利分析

，关系到我国半导体行业能否从根本上扭转“卡脖子”被动地位，从而将行业未来发展的主动权掌握在自己手中。本文基于专利文献，全面研究了生产高端芯片的极紫外（EUV）光刻技术的整体专利态势，以期对行业技术发展有所参考。 全球申请态势 EUV光刻技术于上世纪80年代由日本的H.Kinoshita首先提出并完成原理验证，它采用的EUV光波长为13.5nm，经过业界30多年持续的投入和研究，终于在2015年由荷兰