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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
集微网消息，据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。 据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授Lee Jong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。 KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三星、高通和Global Founderies
发布时间：2020.09.16 -
中科院与英特尔侵权诉讼反转：FinFET专利被宣告部分无效
集微网消息，11月4日，国家知识产权局就201110240931.5发明专利（下称“FinFET专利”）无效申请案下达无效宣告请求审查决定书，宣告该专利权部分无效。月前引起业界广泛关注的中科院微电子所诉英特尔公司专利侵权案发生意外转折。 为应对微电子所2018年2月对其提起的专利侵权诉讼，英特尔公司先后6次在中国和美国对涉诉专利及其美国同族，提起专利无效申请或复审请求，均未得到理想结果。最近一
发布时间：2020.11.10
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