三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解

集微网消息，据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。 据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授Lee Jong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。 KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三星、高通和Global Founderies