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第三代半导体为近年新兴的技术,主要聚焦于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。 基于行业发展需求,本文对第三代半导体产业专利状况从全球整体态势、碳化硅和氮化镓关键技术、英飞凌和科锐等典型企业专利布局及运用策略、美国政府资助项目知识产权产出机制等方面进行研究。 全球整体态势 20世纪初出现第三代半导体相关专利申请,大约在2000年以后,相关专利申请开始进入
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