国产EUV光刻机取得重大突破

“就算把图纸给你们，你们也造不出光刻机”这是我国科学家在荷兰ASML学习光刻机技术的时候，ASML相关人员说过的话，言语中表现的是对我国的轻视和看不起！

众所周知，ASML是全球最大的半导体光刻设备制造厂商，占据全球超60%的市场份额，尤其是在先进的EUV光刻机领域，ASML凭借世界唯一可以制造EUV光刻机的优势，垄断了全球市场。得益于此，这些年ASML赚的盆满钵满的。

但就是这样的一家企业，在美国对我国半导体产业发起限制的时候，起到了至关重要的作用，也是美国对我国半导体领域进行“卡脖子”的重要环节。甚至近期，公开指责我国自研光刻机是破坏全球芯片产业链。

ASML能够说出这样的奇葩言论也是可笑至极，你不卖给我们，还不允许我们搞自研了吗？不过，ASML之所以说出这样的奇葩言论，主要原因就在于我国在光刻机自主研发上已经取得重大突破，并且是ASML引以为傲的EUV光刻机领域。这并不是自嗨，而是在我国科研机构共同努力下取得的显著成绩！

首先，哈工大学取得的超高精度激光干涉仪的技术突破。值得注意的是，哈工大取得的真空用超高精度激光干涉仪已经在某单位完成初试，可以达到位移分辨率5pm，位移测量标准达到30pm，关键指标数据与ASML的最高水平接近，满足EUV双工件台对该技术的高精度要求。

要知道，“真空用”说明哈工大取得的技术突破已经超越目前最先进的DUVi光刻设备用到的真空双工件台，面向的是当下制造高端芯片必须用到的EUV光刻设备。并且用于制造28nm节点的DUVi光刻设备的超高精度激光干涉仪的位移分辨率最高只能达到77pm。现在哈工大的真空用超高精度激光干涉仪直接将分辨率提升15.4倍，已经达到甚至超越EUV光刻设备对该技术的要求了！

另外，制造EUV光刻机最难得是反射物镜系统，其精度要求必须在0.1纳米以内的水准。目前，ASML在该技术上已经达到0.05纳米的水平，我们虽然与ASML存在着差距，但根据2021年7月中科科美公布的技术突破，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置，已经把镀膜精度控制在0.1纳米以内，如今已经过去一年多的时间，很有可以已经将该技术提升到与ASML的0.05纳米相接近的水准。

更为重要的是，4月13日中科院院士白春礼调研了长春光机所，因为长春光机所已经成功研制出极紫外光刻机的重要部件，那就是EUV光源工程化样机。光刻机制造过程，先是研制出原理样机，再到工程样机，最后是量产，其中工程样机是至关重要的一步，因为一旦工程样机达到验收标准后就可以进行量产了。

要知道，过去制造高端EUV光刻机所需要的光源技术，一直被美国等西方国家掌控着。并且该技术不对我国开放，我们想要制造出先进的EUV光刻机，就必须自己研发。

值得注意的是，按照正常的进程来说，从光源样机到制造出可以用于芯片制造的光刻机，用时一般都在一年之内，技术验收快的话在几个月内就可以完成。现在长春光机所已经成功研制出光源样机，这意味着我国自主研发的首台EUV工程样机将在2024年问世，或许现在已经完成制造，在等着通过最后的验收了！

美国为了遏制我国半导体领域的发展，不断扩大限制范围，今年拉拢日本荷兰，限制光刻设备向我国出口，为的就是阻止我国自研光刻机。不过如今功夫不负有心人，在我国科研工作者的日夜奋斗下，已经在EUV光刻机制造上取得了三大关键技术的突破，为我国进一步打破高端光刻机的技术封锁提供了至关重要的技术支持。

一旦，我国自主研发的高端EUV光刻机完成交付，美国以及西方国家对我们的技术封锁将会不攻自破。高端芯片制造，再也不用看别人脸色，也不用去求别人。届时，再也不怕任何人对我们进行“卡脖子”了。对于我国在光刻机上取得的技术突破，一些外媒表示：太快了！对此，你怎么看呢？