英飞凌起诉英诺赛科侵犯GaN专利

中国知识产权律师网从路透社获悉，本周四，德国晶片制造商英飞凌（Infineon）表示，已就半导体技术专利在美国法院起诉中国公司英诺赛科（Innoscience）。

英飞凌表示，它正在寻求禁令救济，因为英诺赛思侵犯了其一项与氮化镓（GaN）技术相关的美国专利，该技术对其GaN功率半导体至关重要。

有关本案的后续进展，中国知识产权律师网将持续关注。