科锐与安世半导体签署 GaN 功率器件专利授权协议

科锐今日宣布与荷兰 Nexperia（中文为“安世半导体”）签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，安世半导体将有权使用科锐 GaN 氮化镓功率器件专利组合，包括了超过 300 项已授权美国和国外专利，涵盖了 HEMT（高电子迁移率场效晶体管）和 GaN 氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升，以及封装技术，不包括技术转让。

科锐联合创始人兼 Wolfspeed 首席技术官 John Palmour 表示：“科锐创立以来，对包括 GaN 氮化镓和 SiC 碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究，并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件，帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长，科锐正在对用于 GaN 氮化镓电源管理系统的 GaN 氮化镓功率器件专利开展授权。”

据了解，安世半导体是在 2016 年 6 月 14 日以建广资产为主导的中国财团，花费 27.5 亿美元(约合 181 亿元人民币)收购恩智浦(NXP)标准件业务。安世半导体总部位于荷兰奈梅亨，作为国内半导体行业最大的海外并购案之一，2017 年 2 月交割完成后，各项业务仍保持稳健增长。销售收入从 2015 年的 10.3 亿美元增长至 2017 年（2月-12月）近 12.88 亿美元，其中欧洲、中东和非洲地区占比约 31.52%，大中华区占比约 30.75%。

公司主要销售收入来源于三极管分立器、MOS 分立器件以及逻辑与保护等板块产品。2017年2月，安世半导体顺利完成交割后，各项业务均保持稳定增长，广东新增封测生产线已于近日投产，使安世半导体全年生产总量超过 1000 亿颗稳居全球第一。

随着新厂第一条生产线安装就位，广东工厂(ATGD)的扩张在如火如荼的进行，预计新厂可满足急迫的产能扩张需求，应该也能为其他封装/产品线的供应提供替代选项，在某种程度上可以进一步支持汽车业务的供应可靠性需求。

公司未来将继续专注于分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的研发、生产与销售，维持其全球领先的行业地位，并重点聚焦汽车电子、通讯、工业控制、消费电子的主要市场。

另一个正在进行的项目是获得对汽车相关业务至关重要的III-V族半导体，尤其是硅基氮化镓相关技术，在动车组/电动车高压转换和相关电池/充电等方向有着重要的应用。关于III-V族技术的项目目前有序运作中，力争早日取得良性进展。

而科锐成立于 1987 年，是美国的上市公司，为全球 LED 外延、芯片、封装、LED 照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐 LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有 1,300 多项美国专利、2,900 多项国际专利和 389 项中国专利（以上包括已授权和在审专利）。目前，科锐中国在上海和深圳等全国几十个城市分别设有公司和办事处，主要负责产品在国内的销售、技术支持、市场服务等。