东芝将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工

　　东芝(Toshiba)2015日本会计年度(2015年4月至2016年3月，以下简称年度)半导体事业营收不仅较2014年度衰退6.9%，为 1.11兆日圆(约100亿美元)，且营业利益由盈转亏，营损率为6.4%。DIGITIMES Research观察，东芝为求2016年度转亏为盈，在2016年3月开始量产48层堆叠3D NAND Flash，更计划供应价格低于15奈米平面型的64层堆叠产品，同时成立系统LSI新公司Japan Semiconductor Corp.(JSC)，寻求承接以类比IC为主的晶圆代工机会，但短期仍以制造东芝系统LSI产品为主。

　　2015年度东芝以NAND Flash为主的记忆体营收较2014年度衰退1.8%，为8,456亿日圆，已连续2年呈现下滑，对照2013~2015年全球NAND Flash龙头厂三星电子(Samsung Electronics)营收持续成长，东芝在三星进驻大陆西安设厂、且三星于3D NAND Flash发展脚步较快的情况下，面临相当大的竞争压力。

　　展望2016年度，东芝预测其来自记忆体营收将年减11%，仅7,466亿日 圆，记忆体营益率亦将自13%下滑至3.3%。为改善营运，东芝将加速发展垂直堆叠架构BiCS(Bit Cost Scalable) NAND Flash，不仅已量产的48层堆叠3D NAND Flash成本将接近15奈米平面型产品，更计划以低于15奈米平面型的价格，量产64层堆叠3D NAND Flash。

　　在记忆体以外的半导体事业方面，2015年度东芝系统LSI与离散元件因在财报不实范围内，需认列损失，此两部门 合计营损率达到49.3%，成东芝整体半导体事业亏损主因，东芝已订2016年度此两部门转为营益率1.6%的目标，将透过提升JSC产能利用率，及主攻 具市场成长性的离散元件产品等方式，达成2016年度其整体半导体事业盈余目标。

　　东芝2009~2016年度半导体事业营收变化及预测


　　注：东芝以西元年第2季至隔年第1季为其会计年度。
　　资料来源：东芝