2017年中国将推自主生产3D NAND闪存，32层堆栈

2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预计投资240亿美元，分为三期建设，现在启动的是第一期，主要目标是生产3D NAND闪存，2018年将启动第二期建设，规划是上DRAM内存芯片，2019年启动第三期建设，主要目标是代工服务，产能也会越来越大，2020年目标是30万片晶圆/月，2030年则是100万片晶圆/月。 今年